东芝根本没法做出有效的BiCS，本来整个工艺是交替沉积氧化物（SiO）层和多晶硅（pSi）层实现的，然后在这个层堆叠中形成一个通道孔，填充氧化物—氮化物—氧化物（ONO）和pSix。
接着沉积光刻胶，在连续的蚀刻流程后，光刻胶修整再蚀刻出个阶梯，形成互连。
最后一步，蚀刻出一个槽再填充氧化物。
然而问题不是出在第三步的光刻胶蚀刻，就是出在流片封测上，哪怕侥幸成功，粗粗一算，良品率低得简直令人发指——
才%！阑
“陆总，东芝难道就没有一个说法吗！”
胡煜华愤愤不平道：“这个项目我们已经砸了亿美刀啊！”
“能有什么说法？”
陆飞拳头攥紧，积压着火：“东芝负责这个项目的技术总工割腕住院，会计卧轨死了，西田这个王八蛋把腰一弯，说句‘红豆泥斯密马赛’就想死不认账，吗的，哪有这么便宜的事！这群小霓虹我怀疑是组团忽悠我们，背地里一直在贪污研发经费。”
“这也太无耻了吧？”
胡煜华万万没想到东芝能这么臭不要脸，一时无语道：“那我们不是白折腾了吗？”
“哈哈哈，不白折腾。”阑
陆飞转怒为喜，“东芝敢这么干，不就欺我逻辑无能人嘛？
可巧了，我们还真有人！
朱一明觉得先栅极行不通，能不能试一试后栅极，交替氧化物层和氮化物层，结果他们真捣鼓出一个有别于‘BiCS’的新工艺，叫‘TCAT’，TerabitCellArrayTransistor。”
（ps：三星就是这个工艺）
“陆总，流片封测的结果怎么样？”
“相当可观，良品率提高了1倍之多。”
“天呐！
”阑